硅片拋光機技術(shù)特點及原理
硅片拋光機不是碾除整體的糠層，是通過碾除細(xì)微的糠粉和粗糙表上面突起的淀粉細(xì)粒，拋光機拋光和碾白從工作方面比較存在著很大的差別，拋光機拋光壓力很低，拋光機拋光米粒的時候流體密度很小，拋光時米粒離開鐵輥的速度很快，而且拋光機單位產(chǎn)量拋光運動面積很大。
拋光布采用微細(xì)表層結(jié)構(gòu)的軟質(zhì)發(fā)泡聚氨基甲酸人造革。在高速高壓拋光條件下，拋光布和硅片之間形成封閉的拋光劑層。
同時，在硅片表面形成軟質(zhì)水合膜，拋光盤通過不斷去除水合膜進(jìn)行硅片的拋光。但是，一旦拋光過程中水合膜發(fā)生破裂，會在硅片表面產(chǎn)生加工缺陷。
拋光是硅片的最終加工工序，要求拋光表面具有晶格完整性、高的平面度及潔凈性。使用械化學(xué)拋光法可以獲得無加工變質(zhì)層的表面。為了提高拋光效率，要進(jìn)行兩次拋光。在第一次拋光中，借助于磨粒與拋光布的機械作用，破壞硅片表面的水合膜進(jìn)行高效拋光。
因此，必須采用大粒度的磨粒和透氣性能好的拋光布以形成較薄的水合膜，其目的是為獲得硅片的厚度、平面度等。
硅片拋光裝置有單面拋光和雙面拋光兩種，雙面拋光可提高拋光效率和加工精度。
