硅片半導體拋光及研磨技術(shù)講解

雙面研磨機工藝中使用的磨盤主要為鑄鐵盤，使用鐵盤容易對晶片的主面造成傷痕或污染，由于引入大量的金屬離子和機械應力的損傷層大，晶片的后續(xù)工序（腐蝕）加工量大，腐蝕時間長，加工損耗大，硅片利用率相對較低。

國內(nèi)很多加工單位目前采用的研磨加工方式多為鑄鐵盤上面配碳化硅微粉磨料加水或者加磨削油潤滑冷卻來加工。

這樣在磨加工過程中很多研磨不掉的碳化硅粉和磨削下來的廢料就會被壓力擠到工件表面上造成工件表面發(fā)黑，后期清洗不掉和水污染。

鑄鐵盤也會隨著磨削加工工件一樣被碳化硅磨料磨去厚度，后期需要頻繁修磨鑄鐵盤的平行度。

硅片半導體拋光機主要用途

硅片半導體拋光機設備主要用于藍寶石襯底、藍寶石外延片、硅片、陶瓷、石英晶體、其他半導體材料等薄形精密零件的單面高精密研磨及拋光。

硅片半導體拋光機設備特點

1、硅片半導體拋光機設備為單面精密研磨設備，采用先進的機械結(jié)構(gòu)和控制方法，研磨加工效率高，運行穩(wěn)定。

2、整機采用PLC+觸摸屏控制系統(tǒng)，設備參數(shù)設置和操作簡單方便，系統(tǒng)穩(wěn)定性高。

3、主電機采用變頻調(diào)速控制，實現(xiàn)主機軟啟動、軟停機，降低設備運行沖擊，減少工件損傷。

4、工件研磨壓力采用氣缸加壓方式，通過電氣比例閥控制實現(xiàn)壓力的閉環(huán)控制，保證極高的施壓精度與穩(wěn)定性。

5、上壓盤采用主動驅(qū)動方式，在確保產(chǎn)品研磨速率的前提下保證各工位研磨加工的統(tǒng)一性。

6、研磨盤與上壓盤都設置了冷卻水冷卻功能，在保證研磨液發(fā)揮最大效率的同時減少研磨盤面的變形。

7、硅片半導體拋光機設備自帶盤面修整機，盤面修整后可保證0.001mm的盤面平整度。

半導體硅片的研磨方法，硅片半導體拋光機采用雙面研磨工藝對切割好的硅片進行研磨，通過改善研磨工藝（磨盤材質(zhì)、研磨液、研磨壓力及研磨轉(zhuǎn)速等）來提高研磨片的質(zhì)量。

尤其是使用陶瓷盤代替鑄鐵盤，減少了金屬離子的引入，可減少硅片的后續(xù)加工量，縮短了后續(xù)工序（腐蝕）時間，提高了生產(chǎn)效率，而且減少了硅片加工的損耗，提高了硅片的利用率。